Trebuie să mai aşteptăm până vom vedea produsul!
Oamenii de ştiinţă de la IBM Research au demonstrat un nou nivel de eficienţă pentru stocarea de date cu memorie optică, utilizând pentru prima dată un format de stocare numit memorie cu schimbare de fază (en)( phase-change memory-PCM) pentru a stoca 3 biţi de date per celulă.
În timp ce PCM nu este nimic nou şi de fapt există ca format de memorie zeci de ani, până acum ea era limitată să stocheze dooar 1 sau 2 biţi de date pe celulă PCM.
Dar, noua realizare a IBM este semnificativă, deoarece creşterea capacităţii de stocare a fiecărei celule cu până la 3 biţi, va face PCM, care este necomparabil mai rapidă decât memoria flash, cu mult mai rentabilă.
Ce înseamnă asta pentru voi?
Potrivit IBM, PCM ar putea fi în curând folosită ca memorie în tot felul de dispozitive, de la gadget-urile personale, cum ar fi smartphone-urile şi notebook-urile, la alimentarea data centrelor care ne dau aşa lucruri ca e-mail şi Facebook.
„Memoria cu schimbare de fază este prima instanţă a unei memorii universale cu proprietăţi ale ambelor DRAM şi flash, astfel, răspunzând la una dintre marele provocări ale industriei noastre”, a declarat Hairs Pozidis, cercetătorul principal de la IBM research din Zurich, Elveţia.
„Ajungerea la 3 biţi per celulă, este o importantă etapă, deoarece la acestă densitate costul PCM va fi semnificativ mai mic decât DRAM şi mai aproape de flash”.
Cele mai multe dispozitive, cum ar fi smartphon-urile şi notebook-urile folosesc în prezent, o combinaţie de dynamic random-access memory (DRAM) şi memorie flash, cu prima activă în timp ce dispozitivele sunt pornite şi ultima utilizată pentru stocarea datelor pe termen lung (off sau on).
Unul din factorii care a împiedicat avântarea PCM până acum, a fost costul său, dar în afară de aspectul economic, ea oferă avantaje considerabile în comparaţie cu aceste alternative.
Spre deosebire de DRAM, care este extrem de rapid, dar, de asemenea, destul de costisitoar, PCM nu pierde datele atunci când dispozitivele sunt oprite.
Şi, în timp ce PCM nu este la fel de rapid ca DRAM, variind între 5 la 10 ori mai lent, el este mult mai rapid decât memoria flash.
Cât de mult mai rapidă, asta depinde pe cine întrebi,dar, estimările în general sugerează că este de până la 70 de ori mai rapidă, în timp ce aplicaţiile teoretice o apreciază ca fiind de o sută de ori mai rapidă(en).
După cum subliniază IBM, un alt avantaj al PCM este faptul că memoria poate supraveţui la cel puţin 10 milioane de cicluri de scriere, ceea ce ipotetic înseamnă că aţi putea primi o garanţie pe viaţă la stocarea datelor.
Pe de altă parte memoria flash, durează doar în jur de 3000 de cicluri de scriere înainte de a degrada.
PCM funcţionează prin aplicarea unui curent electric la celulele de memorie a cipului, care schimbă celula dintr-o stare amorfă (nestructurată) la o stare cristalină (structurată).
Starea poate fi apoi citită de un calculator ca un bit, fie 0 (amorf) sau 1 (cristalin).
Ceea ce cercetătorii au reuşit aici, este a rafina controalele de temperatură atunci când curentul trece prin celule şi le încălzeşte, permiţând să fie stocate câte 3 biţi în fiecare din ea şi aceast avantaj ar putea permite în cele din urmă PCM să capete un sens comercial ca o opţiune atractivă undeva între DRAM şi flash.
Potrivit IBM, memoria multi-bit PCM ar putea porni smartphone-ul vostru doar în câteva secunde, în timp ce centrele de date utilizate de către companiile precum Google şi Facebook ar putea avea, de asemenea, o viteză de procesare mai rapidă.
Desigur, PCM nu este singura tehnologie nouă excitantă în curs.
Anul trecut, Intel şi Micron au debutat stocarea lor 3D XPoint, care se spune că este de 1000 de ori mai rapidă decât flash.
Se pare că ultimul lucru lent care acum rămâne, este aşteptrarea cuplării tuturor progreselor şi abordărilor noi pentru materializarea productului!
Cercetarea a fost publicată în IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems.
Lasă un răspuns